一种SiC MOSFET的开通自适应有源栅极驱动电路及其控制方法

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一种SiC MOSFET的开通自适应有源栅极驱动电路及其控制方法
申请号:CN202410988112
申请日期:2024-07-23
公开号:CN119093711A
公开日期:2024-12-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种SiC MOSFET的开通自适应有源栅极驱动电路及其控制方法,本发明通过开通自适应有源栅极驱动电路准确检测SiC MOSFET开通过程的三个阶段,第一段用适中的驱动电流以保证栅极电压快速稳定上升,第二段用较低的驱动电流,以降低dvDS/dt水平,第三段用最大驱动电流,确保快速完成开通过程,减小导通电阻,密勒平台电压采和密勒平台电压追踪电路通过跨周期的调控实现了驱动芯片的自适应功能。该电路结构与控制方案为本专利的欲保护点。
技术关键词
有源栅极驱动电路 电压采样模块 电流表 电流镜结构 电压采集模块 开关 电容 电压追踪电路 计数器 电阻 输入端 电源 输出端 负极 控制模块 驱动芯片
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