一种真空共晶装置、方法及其应用

本发明提供一种真空共晶装置、方法及其应用，通过真空罩与共晶箱形成密闭的环境，抽真空至预设的真空度，有效减少氧气和水蒸气的影响，避免晶体结构的破坏，提高样品的纯度和晶体结构的完整性。在一批芯片共晶完成后，驱动连杆可以快速驱动真空罩至另一个真空箱上方进行下一批芯片的共晶，实现了真空共晶装置的连续共晶，进一步提高了生产效率。综上所述，本申请提供的真空共晶装置、方法及其应用通过实现高真空度下的共晶处理、高效的共晶过程、稳定的共晶环境、便于观察和操作、连续的共晶生产以及广泛的应用领域等多个方面的优化，为半导体器件的制备提供了有力的技术支持。