一种相移掩模的制作方法

本发明涉及一种相移掩模的制作方法，其将光罩图形分解为高精度的芯片设计图形和次级精度的辅助图形，高精度的芯片设计图形在一次描画的时候采用高精度的光刻机进行描画，次精度的辅助图形在二次描画的采用低精度的光刻机同时进行描画，可以提升高精度的光刻机的描画效率，进而提高整体的产能。