一种蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件及其制造方法

本发明公开了一种蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件，包括：蓝宝石衬底、生长在蓝宝石衬底上的氮化物半导体功率器件的外延结构，以及外延结构上的功率器件结构，所述蓝宝石衬底下方对应功率器件结构的位置设有部分或者完全刻蚀区，刻蚀区位置处布置有高导热性材料。通过采用蓝宝石衬底，在垂直于蓝宝石衬底的厚度方向上完全刻蚀掉对应器件下方的蓝宝石衬底部分，或者刻蚀掉绝大部分衬底厚度，仅留下部分蓝宝石衬底，然后采用沉积导热性良好的材料，提高功率芯片的导热性。可提高功率器件的耐压，并降低对外延层厚度的要求因而降低生长技术难度，同时减少外延生长时间，提高外延参数均匀性，进而提高外延片和芯片的良率。