碳化硅基混合二极管及其制备方法

本发明属于芯片技术领域，公开了一种碳化硅混合二极管及其制备方法，该制备方法包括：获取N型碳化硅衬底，并在所述N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层，在所述N型碳化硅衬底的背面生成欧姆金属层；在所述N型外延层的元胞区域的第一活性区域注入P型杂质，生成第一P型掺杂区域；通过光刻工艺在所述第一活性区域内刻蚀形成欧姆接触沟槽，其中，所述欧姆接触沟槽位于所述第一P型掺杂区域内；在所述欧姆接触沟槽中填充欧姆金属；在所述元胞区域中第二活性区域的表面溅射肖特基金属。利用本发明公开的方法，可以实现解决现有技术中传统MPS由于欧姆接触面积较小所导致的一系列问题。