单晶硅收尾控制方法

本发明涉及半导体技术领域，提供了一种单晶硅收尾控制方法，包括以下步骤：设定收尾速度并设定晶棒收尾段的基础形状，以收尾速度匀速提拉晶棒；检测收尾段的生成位置的实时收尾直径；计算所述基础形状对应所述生成位置处的设定直径与所述实时收尾直径的直径偏差值，若所述直径偏差值超出直径偏差阈值范围，调整埚跟比和调整收尾温度以使得实时收尾直径趋近所述设定直径。上述的单晶硅收尾控制方法，可使得整个晶棒的缺陷单晶的区域几乎与变径段重合，即将缺陷单晶限定在变径段所在区域内，等径圆柱段底部分几乎为完美单晶，大大提高了完美单晶的比例。