一种熔覆层高测量方法、系统、设备及存储介质

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一种熔覆层高测量方法、系统、设备及存储介质
申请号:CN202411011039
申请日期:2024-07-26
公开号:CN118794357A
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种熔覆层高测量方法、系统、设备及存储介质,熔覆层高测量方法包括:将CCD固定设置于熔覆头同一平面并采集熔池图像;对熔池图像进行预处理,获得完整的熔池图像;将完整的熔池图像输入到预先训练好的回归预测模型中,获得第k层的预测熔焦量;通过第k层的预测熔焦量计算第k+1层的熔焦量;通过第k+1层的熔焦量计算第k+1层的熔覆层高。本发明通过固定设置的CCD随熔覆头加工轨迹运动,采集清晰的熔池图像并对图像进行预处理获得完整的熔池清晰图像,同时通过回归预测模型对离焦量进行预测,从而推算层高,不需要对CCD进行标定,可以免受机械臂抖动等因素的干扰,提高了成品质量、生产效率以及减少成本。
技术关键词
回归预测模型 高测量方法 计算机可执行指令 图像 覆层 Otsu算法 处理器 可读存储介质 免受机械 椒盐噪声 电子设备 模块 亮度 存储器 偏差 模版 参数 滤波 轨迹
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