一种实现局部高密度互连的半导体封装结构及其制造方法

本发明公开一种实现局部高密度互连的半导体封装结构及其制造方法，该封装结构包括三维玻璃基板，由至少两层玻璃晶圆通过混合键合连接形成，相邻两层玻璃晶圆的键合面具有第一重布线层，各层玻璃晶圆上设有金属互连孔，金属互连孔与玻璃晶圆上的第一重布线层电连接；玻璃桥连结构设置在三维玻璃基板的凹槽内，其具有高密度布线层；第二重布线层的介质层覆盖第一表面并填充凹槽；至少两个芯片，各芯片倒装在第二重布线层上且与第二重布线层电连接，至少两个芯片通过玻璃桥连结构电连接。如此可实现更高密度的局部互连，避免热失配的问题，可满足高功率芯片和大规模集成电路对高平坦度的集成需求。