全共字线OTP存储器电路

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全共字线OTP存储器电路
申请号:CN202411030838
申请日期:2024-07-30
公开号:CN118553294B
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
全共字线OTP存储器电路,涉及集成电路技术。本发明包括译码器和N个OTP存储器单元,所述OTP存储器单元包括存储MOS管、选择MOS管和检测MOS管;检测MOS管的第一电流连接端连接本单元的第一位线,所述译码器为树形结构,树形结构包括至少两个子树层,每个子树包括两个树枝,两个树枝连接于节点,每个树枝的末端和节点之间都设置有一个开关MOS管;相邻两层中,上层子树的节点与下层子树的树枝末端连接,顶层的树枝末端一一对应连接至各OTP存储器单元的第一位线;开关MOS管的栅极通过连接线引出。本发明电路和操作都较现有技术更简洁,成本和可靠性都得以改善。
技术关键词
OTP存储器单元 树形结构 开关MOS管 栅极 集成电路技术 节点 行译码器 电流 复杂度 编程 对象 芯片 高压
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