基于NBTI效应的ADC电路退化评估方法及相关装置

本发明公开了一种基于NBTI效应的ADC电路退化评估方法及相关装置，方法包括：基于ADC电路的电路特性确定主流模型，并构建目标NBTI失效等效电路模型；依次对ADC工作电路及其每个模块电路分别进行退化前仿真和退化后仿真，逐步对每个模块电路的不同类别PMOS管进行退化仿真；确定电路的关键退化电路和关键退化器件。本发明通过目标NBTI失效等效电路模型将NBTI效应对电路晶体管的影响由等效电路的形式表征出来；以整体‑局部的仿真方式，研究多个器件衰退下的耦合关系，通过仿真结果来衡量NBTI效应对电路的性能影响，找到关键退化器件和关键退化电路，从而系统且全面地评估NBTI效应对ADC电路的退化可靠性。