LOD效应失配模型提取方法及其存储介质

本发明公开了一种LOD效应失配模型提取方法，包括：S1，设计不同有源区长度尺寸器件；S2，对多组成对相同源区长度尺寸的器件结构下的电性参数进行晶圆的full map测试；S3，计算同一个Die下相同源区长度尺寸两个器件的阈值电压差异值和饱和电流差异值；S4，对所有Die下两个器件的电性参数计算Median值以及计算标准差Sigma，判断各die数据是否合理，去除各不合理die数据，保留合理die数据；S5，对合理die的阈值电压差异值和饱和电流差异值进行计算标准差，得到阈值电压和饱和电流的失配数据值，对失配数据值进行拟合仿真获得各参数失配率仿真曲线；S6，建立LOD效应中的失配模型；S7，对失配模型调整参数，得到有源区长度相关的失配模型。