堆叠芯片结构、集成电路封装件及其形成方法

本文公开了用于前至前堆叠芯片/管芯的互连结构及其制造方法。示例性集成电路上系统(SoIC)包括第一管芯，第一管芯例如通过将第一管芯的第一前侧多层互连件的第一最顶部金属化层接合至第二管芯的第二前侧多层互连件的第二最顶部金属化层而与第二管芯前至前接合。通孔延伸部分穿过第一管芯的第一前侧多层互连件、穿过第一管芯的器件层、穿过第一管芯的背侧电源轨并且穿过载体衬底。背侧电源轨位于载体衬底和器件层之间，并且背侧电源轨可以是第一管芯的背侧多层互连件的部分。通孔可以连接至再分布层(RDL)结构。本申请的实施例还涉及堆叠芯片结构、集成电路封装件及其形成方法。