GaN 2DEG电阻模型精确提取方法、电子设备

本实施例提供的方案中一种GaN 2DEG电阻模型精确提取方法，其包括：设置GaN基2DEG器件的工艺参数和模型参数，得到所述GaN基2DEG器件的完整模型描述；基于所述GaN基2DEG器件的完整模型描述，提取所述GaN基2DEG器件中2DEG电阻的相关模型参数，从而实现了有效、精确地提取GaN接入区的2DEG电阻模型。