半导体器件

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正文
推荐专利
半导体器件
申请号:CN202411055190
申请日期:2024-08-02
公开号:CN119447129A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种半导体器件。一种半导体器件(1、201、301、401或501)包括:具有主面(3)的半导体芯片(2);形成于主面(3)的输出区域(6),在输出区域布置有输出元件(20);内侧元件区域(8、208或308),被输出区域(6)围绕,并与输出区域(6)绝缘隔离,在内侧元件区域布置有与输出元件(20)不同的第一元件(9或309);第一配线层(12),以覆盖输出区域(6)的方式形成于主面(3),并且包括电连接到输出元件(20)的第一输出配线(98A);和第二配线层(13),形成在第一配线层(12)上,并且包括电连接到第一输出配线(98A)的第二输出配线(98B)和与第二输出配线(98B)绝缘隔离的连接配线(10或210),连接配线(10或210)从内侧元件区域(8、208或308)延伸横穿过输出区域(6),到达输出区域(6)外的外侧区域(7)。
技术关键词
半导体器件 配线 沟槽电极结构 温度传感器元件 半导体芯片 隔离结构 温度感测 隔离沟槽 二极管 生成控制信号 晶体管 电流 绝缘体 环状 环形
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