一种温度精确可控的低温离子阱装置

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正文
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一种温度精确可控的低温离子阱装置
申请号:CN202411057186
申请日期:2024-08-02
公开号:CN119008354B
公开日期:2025-03-21
类型:发明专利
摘要
本发明涉及离子阱器件技术领域,具体是一种温度精确可控的低温离子阱装置,包括:设置在真空腔内的水冷散热平台和可控温离子阱芯片,可控温离子阱芯片包括离子阱囚禁电极模块和离子阱基座,离子阱囚禁电极模块设置在离子阱基座上,离子阱基座设置在水冷散热平台上,离子阱囚禁电极模块的侧面设有温度传感器,离子阱基座上设置有半导体制冷模块,设置在真空腔外的温控电路和水冷散热器,温度传感器用于采集可控温离子阱芯片的实际温度,温控电路根据可控温离子阱芯片的实际温度,通过半导体制冷模块调整可控温离子阱芯片的温度,水冷散热平台与水冷散热器持续热交互,通过循环水持续带走可控温离子阱芯片的热量。
技术关键词
温度精确可控 离子阱装置 半导体制冷模块 电极模块 温控电路 水冷散热器 射频电极 中心电极 芯片 真空法兰 直流电源模块 电气接口 温度传感器 检测显示屏 基座 平台 温度控制器 真空腔
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