一种半导体晶圆磨削监测系统及方法

本专利申请公开了一种半导体晶圆磨削监测系统及方法，属于半导体材料加工技术领域，为了提高晶圆产品电学性能，采用了位移传感器，用于检测晶圆空间位置姿态；压力传感器，用于监测晶圆所受压力；温度传感器，用于检测晶圆温度；流速传感器，用于检测磨削液的流速；位移传感器、压力传感器、温度传感器和流速传感器均与控制器电连接，控制器根据各传感器采集到的信息动态调整加工参数。确保晶圆在较佳状态下完成倒角加工，达成优异的电学性能。