一种上转换探测器、制备方法及红外可见上转换成像系统

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一种上转换探测器、制备方法及红外可见上转换成像系统
申请号:CN202411058489
申请日期:2024-08-02
公开号:CN119133194A
公开日期:2024-12-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种上转换探测器、制备方法及红外可见上转换成像系统,属于半导体器件技术领域。本发明提供的上转换探测器包括依次层叠设置的衬底、阳极层、空穴注入层、第一发光层、电子传输层、红外吸收层、空穴传输层、第二发光层、电子注入层和阴极层,第一发光层和第二发光层的材质分别包括CdSe量子点、CdS量子点、InAlAs/AlGaAs量子点和InP量子点中的至少一种,第一发光层用于利用红外吸收层产生的电子,第二发光层用于利用红外吸收层产生的空穴。本发明的上转换探测器,红外吸收层接收近红外光照射,产生的电子被第一发光层利用,产生的空穴被第二发光层利用,提高了光生载流子的利用率,具有更高的可见光亮度。
技术关键词
探测器 发光层 CdSe量子点 CdS量子点 空穴传输层 电子 阳极层 PbS量子点 半导体器件技术 阴极层 成像 衬底 层叠 红外光 可见光 阵列 芯片 电极
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