一种半导体器件及其制造方法

本申请公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有半导体器件的散热能力差的问题。半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括第一基底、以及设置在第一基底上的芯片；第一键合层，设置在第一基底背离芯片的一侧；第一键合层包括沿平行于第一基底表面方向交替分布的第一导热材料部和第一粘合材料部；第二基底，第二基底的热导率大于第一基底；第二基底具有键合面；以及第二键合层，设置在第二基底具有的键合面，第二基底和半导体结构分别通过第二键合层和第一键合层键合在一起。半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提的半导体器件。本申请提供的半导体器件及其制造方法用于提高半导体器件经由第二基底的散热能力。