具有有差别的纳米线厚度和栅极氧化物厚度的全环栅集成电路结构

描述了具有有差别的纳米线厚度和栅极氧化物厚度的全环栅集成电路结构，以及制造具有有差别的纳米线厚度和栅极氧化物厚度的全环栅集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有外部厚度和内部厚度的纳米线，内部厚度小于外部厚度。纳米线从具有外部厚度的外部区域到具有内部厚度的内部区域逐渐变细。电介质材料在纳米线上并围绕纳米线，使得内部区域中的纳米线和电介质材料的组合厚度与纳米线的外部厚度大致相同。