一种透射电镜用定量化力电耦合芯片及其制备方法

本发明公开了一种透射电镜用定量化力电耦合芯片及其制备方法，属于透射电镜高分辨原位表征领域。芯片包括定量化力电耦合芯片基底和定量化力电耦合芯片器件层，其中器件层包括悬空器件层和支撑器件层，悬空器件层由通电兼样品拉伸搭载的四电极结构，通电兼样品压缩的二线法结构，测量位移的标距结构及力学缓冲结构组成，支撑器件层由悬臂支撑结构和压阻结构组成。本发明所提供的透射电镜用定量化力电耦合芯片搭载在透射电子显微镜用双轴倾转样品杆(专利号：CN205691408U)上，突破透射电镜狭小极靴空间尺寸及高真空环境限制，在保证原子尺度原位动态观测材料显微结构的前提下，进行力学和电学信号的精确控制及采集，对材料力学、电学性能进行定量化研究。