一种发光二极管芯片制作方法

本发明公开一种发光二极管芯片制备方法，依次包含在外延片上制作ITO层、生长Al2O3层、沉积SiNx层、旋涂正性光刻胶掩膜层，然后通过高能离子束轰击的方法将光刻胶掩膜层碳化形成纳米级的山状纹理，再蚀刻SiNx钝化层及覆盖其上的碳化光刻胶掩膜层，在SiNx层表面分布形成纳米级的山状纹理，最后将外延片选择性地蚀刻到n‑GaN层形成台阶，并沉积p型和n型金属电极，得到表面形成有纳米级山状纹理的LED器件。本发明方法可以提高LED器件的出光效率，还有利于提高LED器件抗静电能力。