一种半导体大功率TVS制备装置及其制备方法

本发明涉及半导体处理相关技术领域，公开了一种半导体大功率TVS制备装置及其制备方法，所述装置包括干燥箱体、供气部、收料箱体、间歇送料部、振动干燥部、间歇推送部以及间歇缓冲干燥部；所述方法包括按照由上至下镀银钼片和扩散后的TVS晶圆的顺序依次堆叠，直至最后一层是镀银钼片，将整体焊接为TVS晶圆合金烧坨；将TVS晶圆合金烧坨切割后筛选晶圆芯片柱；对晶圆芯片柱进行处理，对处理后的晶圆芯片柱进行间歇有序的分批次干燥处理；实现晶圆芯片柱在间歇投放过程中同步完成换位式的多位置干燥，有效避免了晶圆芯片柱集中堆积在一起进行干燥处理而出现的干燥不完全的问题，保证了晶圆芯片柱干燥效率的同时保证了晶圆芯片柱的干燥效果。