半导体装置及半导体装置的制造方法

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正文
推荐专利
半导体装置及半导体装置的制造方法
申请号:CN202411091259
申请日期:2024-08-09
公开号:CN120692854A
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括:基板,其包括芯片区域和围绕所述芯片区域的密封区域;第一接合焊盘,其位于所述基板上;第二接合焊盘,其位于所述芯片区域中并且接合到所述第一接合焊盘;层间绝缘层,其位于所述第一接合焊盘上;以及接触环,位于所述密封区域中,延伸穿过所述层间绝缘层并连接到所述第一接合焊盘,并且所述接触环各自具有闭合曲线形状。
技术关键词
半导体装置 源极结构 焊盘 沟道结构 晶圆 栅极结构 通孔 基板 芯片 电路 曲线 叠层
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