半导体装置及半导体装置的制造方法
站点导航
首页
AI资讯
AI技术研报
AI监管政策
AI产品测评
AI商业项目
AI产品热榜
AI专利库
AI需求对接
APP 下载
iOS 下载
安卓下载
# 热门搜索 #
大模型
人工智能
openai
融资
chatGPT
清空
确定
AITNT
正文
推荐专利
半导体装置及半导体装置的制造方法
申请号:
CN202411091259
申请日期:
2024-08-09
公开号:
CN120692854A
公开日期:
2025-09-23
类型:
发明专利
摘要
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括:基板,其包括芯片区域和围绕所述芯片区域的密封区域;第一接合焊盘,其位于所述基板上;第二接合焊盘,其位于所述芯片区域中并且接合到所述第一接合焊盘;层间绝缘层,其位于所述第一接合焊盘上;以及接触环,位于所述密封区域中,延伸穿过所述层间绝缘层并连接到所述第一接合焊盘,并且所述接触环各自具有闭合曲线形状。
技术关键词
半导体装置
源极结构
焊盘
沟道结构
晶圆
栅极结构
通孔
基板
芯片
电路
曲线
叠层
沪ICP备2023015588号