一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法

本发明提供一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法，该制备方法包括S10，提供外延片；S20，制备布拉格反射层；S30，在布拉格反射层表面涂布第一光刻胶，后去除掉布拉格反射层上的部分第一光刻胶；S40，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀出布拉格反射层通孔；S50，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除布拉格反射层通孔内的残留物；其中，步骤S40的具体步骤包括：S401，进行主反应刻蚀，以形成布拉格反射层通孔；步骤S50的具体步骤包括：S501，清理经主反应刻蚀后产生的副产物；S502，进行氧离子刻蚀，以去除在主反应刻蚀过程后残留有氟离子的第一光刻胶层；S503，进行氩离子刻蚀，以去除残留至布拉格反射层通孔侧壁的氟离子；S504，去除布拉格反射层通孔内的残留物。