摘要
本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路,属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路,去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时,带来的噪声的影响的基础上,采用四个PMOS管隔断噪声,两个NMOS管泄放电荷,既保证了非常好的抗噪能力,又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上,保证芯片的稳定工作。
技术关键词
电平移位电路
反相器
栅极
驱动芯片
浮动电源轨
电源管理技术
电阻
噪声
PMOS管
低压电源
输出端
二极管
窄脉冲
集成电路
高频率
电压
关断
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