适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路

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适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路
申请号:CN202411099133
申请日期:2024-08-12
公开号:CN118944660B
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路,属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路,去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时,带来的噪声的影响的基础上,采用四个PMOS管隔断噪声,两个NMOS管泄放电荷,既保证了非常好的抗噪能力,又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上,保证芯片的稳定工作。
技术关键词
电平移位电路 反相器 栅极 驱动芯片 浮动电源轨 电源管理技术 电阻 噪声 PMOS管 低压电源 输出端 二极管 窄脉冲 集成电路 高频率 电压 关断
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