IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法及系统

AITNT
正文
推荐专利
IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法及系统
申请号:CN202411103958
申请日期:2024-08-13
公开号:CN118657105B
公开日期:2025-01-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法及系统,以单元胞电热耦合模型原理为基础,通过将IGBT芯片进行详细分区,基于IGBT结构在电热耦合下的特殊性对IGBT芯片逐层进行分区,通过将多种分区复合并应用于电热耦合模型得到大规模IGBT芯片电热耦合模型,通过多元胞电热耦合模型实现了在外部电压电流连续变化情况下对IGBT芯片实现电热耦合仿真,相较于有限元方法,本发明可以更快得到大面积芯片表面温度随时间变化的详细分布以及芯片内部电流随时间的变化的详细情况,准确仿真芯片电热耦合特性。
技术关键词
电热 耦合仿真方法 分区 电阻网络 焊料 IGBT芯片结构 热阻 基板 IGBT结构 IGBT单元 电流 仿真芯片 陶瓷 栅极焊盘 元胞 损耗
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号