温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路

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温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路
申请号:CN202411104423
申请日期:2024-08-13
公开号:CN118647249B
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路,该温差发电芯片包括第一晶粒层和第二晶粒层,第一晶粒层与第二晶粒层之间形成有电绝缘的介质层,第一晶粒层内设置有磁性塞贝克热电结构体,第二晶粒层内设置有非磁性塞贝克热电结构体;第一晶粒层远离介质层的一侧设置有芯片元件层,芯片元件层上设置有温度控制阀门、温度控制电路和充电模块;当温度控制阀门处于第一开关状态时,温度控制阀门使充电模块连接至磁性塞贝克热电结构体;当温度控制阀门处于第二开关状态时,温度控制阀门使充电模块连接至非磁性塞贝克热电结构体。本发明还提供具有上述温差发电芯片的三维集成电路。本发明的温差发电芯片的热电转换效率高。
技术关键词
温差发电芯片 温度控制阀门 热电结构体 三维集成电路 充电模块 纳米线 温度控制电路 芯片元件 硒化锡纳米 散热结构 金属薄膜层 堆叠结构 非磁性金属 热电材料 开关 电介质材料层 绝缘体 导电
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