具有温差发电结构的三维集成电路及其工作方法

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具有温差发电结构的三维集成电路及其工作方法
申请号:CN202411104425
申请日期:2024-08-13
公开号:CN118647250B
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种具有温差发电结构的三维集成电路及其工作方法,三维集成电路包括基材,基材上方形成有堆叠结构,堆叠结构包含有二层以上的功能芯片,在至少一层功能芯片的外侧设置有至少一个外围硅通孔结构,堆叠结构的上方设置有散热结构;基材与散热结构之间形成有至少一个沿堆叠结构的堆叠方向延伸的通孔,通孔穿过功能芯片和/或外围硅通孔结构,堆叠结构内设置有至少一个发电芯片,发电芯片与通孔连接;功能芯片工作所产生的热量通过通孔传导至发电芯片,发电芯片利用热端点与冷端点之间的温度差形成电流。本发明还提供上述三维集成电路的工作方法。本发明在三维集成电路内设置发电芯片,提升三维集成电路的散热效率,降低设计、生产成本。
技术关键词
三维集成电路 温差发电结构 堆叠结构 芯片 硅通孔结构 散热结构 中介层 端点 导热金属材料 导电金属材料 电流 石墨烯材料 基材料 导热件 薄膜 玻璃
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