氧化镓微观缺陷电学特性调节方法

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氧化镓微观缺陷电学特性调节方法
申请号:CN202411104454
申请日期:2024-08-13
公开号:CN119048455B
公开日期:2025-08-19
类型:发明专利
摘要
本发明涉及氧化镓材料优化技术领域,特别涉及氧化镓微观缺陷电学特性调节方法及系统,包括使用明场成像模式获取的氧化镓材料的整体结构图像,基于整体结构图像确定缺陷敏感区域;获取检查区域的暗场图像、高分辨率图像;将采集的暗场图像和高分辨率图像输入到预构建的缺陷种类识别模型中,获取检查区域的缺陷种类。本发明无需采用显微系统遍历整个氧化镓材料,极大化地提高其缺陷检测效率,并且通过确定缺陷敏感区域,然后在采集缺陷敏感区域采集暗场图像、高分辨率图像,输入到训练好的预构建的缺陷种类识别模型中,进行缺陷识别,即无需人为判断缺陷种类,进一步提高其判断的效率和稳定性。
技术关键词
氧化镓材料 特性调节方法 像素块 参数 标签 晶界缺陷 图像采集模块 采集暗场图像 位错缺陷密度 深度神经网络模型 预测误差 TEM样品 标记 模式 暗场成像
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