一种DRAM近存封装结构及其封装方法

本发明涉及一种DRAM近存封装结构及其封装方法，包括：基板；晶圆，设置在基板上；引线，分别连接基板和晶圆；其中，晶圆上形成刻蚀；引线一端连接晶圆上刻蚀位置，引线另一端连接基板。晶圆包括第一芯片和混合键合在第一芯片上的第二芯片；其中，第一芯片为逻辑芯片或内存芯片；第二芯片不同于第一芯片，混合键合在第一芯片上；其中，当第一芯片为逻辑芯片时，第二芯片为内存芯片；当第一芯片为内存芯片时，第二芯片为逻辑芯片。解决了现有方案中封装方法成本较高，制备的封装结构中硅通孔对封装结构的设计和应力都会产生影响，也会限制片间传输宽带的问题。