一维声子晶体的反向设计方法及系统

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一维声子晶体的反向设计方法及系统
申请号:CN202411105539
申请日期:2024-08-13
公开号:CN119069045A
公开日期:2024-12-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种一维声子晶体的反向设计方法及系统。所述方法包括:通过深度神经网络建立正向模型,通过条件变分自动编码器建立逆向模型;将目标带隙输入至逆向模型中输出声子晶体的拓扑分布以及预应力大小;将拓扑分布以及预应力大小输入至正向模型中输出预测带隙;计算预测带隙与目标带隙之间的差异数值,筛选对应的拓扑分布以及预应力作为设计方案保存。选择用深度学习模型来作为反向设计声子晶体的基础,最终建立以目标带隙作为输入,能够将预应力和声子晶体的拓扑分布同时作为输出的反向设计方法和系统,将声子晶体的拓扑结构和声子晶体受到的预应力同时作为设计方案进行反向设计,大大增加了设计方案的多样性,实现按需设计。
技术关键词
反向设计方法 带隙 变分自动编码器 晶体 深度神经网络 变量 深度学习模型 数值 解码器 重构误差 设计系统 计算方法 模块 基础
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