裸芯片及其制造方法、半导体结构以及测试系统

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裸芯片及其制造方法、半导体结构以及测试系统
申请号:CN202411112462
申请日期:2024-08-14
公开号:CN119050081A
公开日期:2024-11-29
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供了一种裸芯片及其制造方法、半导体结构以及测试系统。所述裸芯片包括:裸芯片主体和缺口结构,裸芯片主体具有相对设置的第一键合面和第一非键合面、以及位于所述第一键合面与所述第一非键合面之间的多个侧壁,所述第一键合面所在平面与每个所述侧壁所在平面相交;缺口结构包括:位于相对设置的两个所述侧壁的至少两个缺口,所述至少两个缺口均显露于所述第一键合面;所述裸芯片主体在所述缺口处形成有支撑面,所述支撑面与所述第一非键合面相对设置,所述支撑面用于在键合强度测试中与测试装置接触。
技术关键词
缺口结构 芯片 半导体结构 夹持结构 晶圆 基底 长度尺寸 凹槽 夹持件 互连结构 涂层 控制器 强度 元器件 界面
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