一种低杂散光的MicroLED矩阵光源及其制造方法

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一种低杂散光的MicroLED矩阵光源及其制造方法
申请号:CN202411118408
申请日期:2024-08-15
公开号:CN119050105A
公开日期:2024-11-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种低杂散光的MicroLED矩阵光源及其制造方法,该矩阵光源包括:驱动背板;光源芯片,其键合于驱动背板上,芯片包括发光外延层和对发光外延层电流扩展层加工和钝化层加工后形成的接触电极层、第一绝缘层、扩展电极层与绝缘隔离层;及若干硅基隔离墙,其设置为上宽下窄的结构,其键合于光源芯片上背离驱动背板的一侧,相邻的硅基隔离墙之间形成上窄下宽的出光口,矩阵光源的每个像素单元上方都对应有出光口。制造:利用硅衬底进行MicroLED芯片制作,将芯片与驱动背板键合,接着将硅衬底剥离后,再将芯片与刻蚀出喇叭口结构的硅基板开口面直接键合,将硅基板减薄至露出出光口形成隔离墙,最后对芯片薄膜封装和模组封装。
技术关键词
驱动背板 半导体层 喇叭状开口 光源 隔离墙 接触电极层 量子阱层 散光 电流扩展层 矩阵 外延 芯片 硅衬底 绝缘 基板 像素单元 湿法刻蚀工艺 干法刻蚀工艺 喇叭口结构
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