半导体封装结构及其形成方法

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半导体封装结构及其形成方法
申请号:CN202411123156
申请日期:2024-08-15
公开号:CN119110597A
公开日期:2024-12-10
类型:发明专利
摘要
本公开的各个实施例针对包括位于基底结构上面的第一集成电路(IC)芯片的半导体封装结构。电IC芯片位于基底结构上面,并且设置在第一IC芯片周围。电IC芯片电耦合至第一IC芯片。光子IC芯片位于基底结构上面,并且电耦合至电IC芯片。光子IC芯片配置为接收输入光信号。光子IC芯片与电IC芯片相邻。本申请的实施例还涉及半导体封装结构及其形成方法。
技术关键词
光子集成电路芯片 半导体封装结构 基底结构 存储器集成电路 中介层 集成电路芯片配置 IC芯片 电耦合 光信号 光电检测器 电信号 光纤结构 光学耦合 图形处理单元 横向间隔开 驱动器电路 放大器电路
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沪ICP备2023015588号