一种半导体器件及其制备方法

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一种半导体器件及其制备方法
申请号:CN202411123618
申请日期:2024-08-15
公开号:CN119028840B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种半导体器件及其制备方法,涉及集成电路技术领域,包括提供底晶圆,底晶圆上形成有多个芯片,在芯片内形成有第一散热结构;提供载体晶圆,在载体晶圆内形成第二散热结构;使载体晶圆的第二散热结构面向底晶圆的第一散热结构对应贴合,以使载体晶圆键合于底晶圆上的多个芯片上;在芯片远离第一散热结构的一面形成引出结构,以用于连接芯片和印刷线路板;减薄载体晶圆,使第二散热结构露出于载体晶圆远离第一散热结构的一面;在露出的第二散热结构一侧形成导热层。第一散热结构和第二散热结构将芯片的热量导出;载体晶圆减薄,第二散热结构的一侧还形成导热层,导热层和第二散热结构贴合快速导热,对芯片散热,提高其性能和可靠性。
技术关键词
散热结构 半导体器件 芯片 载体 印刷线路板 晶圆 导热 集成电路技术 布线 层叠
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