一种改进型宽光谱吸收材料及其制备方法

本发明公开了一种改进型宽光谱吸收材料的制备方法，包括以下步骤：S1、衬底处理，将脱氧处理的后的GaAs衬底基片加热，对GaAs衬底进行表面脱氧处理；S2、第一缓冲层制备，在S1中降温，生长GaAs第一缓冲层；S3、第二缓冲层制备，在GaAs第一缓冲层的基础基础上，生长InxGa1‑xAs第二缓冲层；S4、InxGa1‑xAs外延层制备。通过以GaAs衬底，并在GaAs衬底上生长GaAs第一缓冲层、在GaAs第一缓冲层生长InxGa1‑xAs第二缓冲层，并在InxGa1‑xAs第二缓冲层生长InxGa1‑xAs外延层，从而生长出具有特定组分，特定厚度，特定电学和光学参数的InxGa1‑xAs外延层，使光敏区材料对高于850nm波长也能产生吸收，从而增加感光波长范围，进而经过吸收光谱的材料配比的改进及层生长的结构设计，相较传统PIN光电芯片的层设计，其感光范围得到扩展。