芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构

AITNT
正文
推荐专利
芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构
申请号:CN202411125791
申请日期:2024-08-15
公开号:CN119028843B
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构。制备方法包括以下步骤:在基板上安装芯片;在芯片的背面上设置环形围坝;安装散热盖,散热盖包括侧围和顶盖部,侧围周向环绕于顶盖部,顶盖部朝向芯片的一侧设有凸台;顶盖部设有贯通顶盖部的注入孔和排气孔,注入孔和排气孔位于顶盖部的凸台的周围;侧围安装在基板上,顶盖部安装在环形围坝上,顶盖部的注入孔、排气孔以及凸台都位于环形围坝内,凸台侧壁与环形围坝设有预定间距,顶盖部与芯片的背面及芯片的环形围坝围绕形成容纳腔,容纳腔通过注入孔和排气孔与外界连通;在预定环境环境温度条件下,从注入孔向容纳腔注入熔融铟,待熔融铟灌满容纳腔后,将注入孔和排气孔密封。
技术关键词
芯片封装结构 顶盖 围坝 散热盖 排气孔 环形 基板 安装散热 凸台 合金 双层结构 间距 中间层 方形 台面
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号