摘要
本申请实施例公开了一种低电流大功率的芯片级多结激光器,属于半导体激光器设计领域。本申请提供了一种低电流大功率的芯片级多结激光器,实现多结串联效果,且通过多个隔离道调控注入电功率的方式,降低电流,增大电压,同时又确保VCSEL芯片的受电区域和发光区域随着注入电功率的增加而线性增加,最终使VCSEL在大电流和大脉宽工作,以满足更多领域人们对光芯片的应用需求。本设计方案的VCSEL同时具备了大功率输出和较低电流、较高电压下工作的优势。既能降低电流,增大电压;同时又使VCSEL在大电流和大脉宽工作。
技术关键词
金属接触层
大功率
布拉格反射镜
半绝缘衬底
低电流
欧姆接触层
发光单元
VCSEL芯片
外延
半导体激光器
电压
介质
电镀
负极
线性