一种低电流大功率的芯片级多结激光器

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推荐专利
一种低电流大功率的芯片级多结激光器
申请号:CN202411127807
申请日期:2024-08-16
公开号:CN119009684A
公开日期:2024-11-22
类型:发明专利
摘要
本申请实施例公开了一种低电流大功率的芯片级多结激光器,属于半导体激光器设计领域。本申请提供了一种低电流大功率的芯片级多结激光器,实现多结串联效果,且通过多个隔离道调控注入电功率的方式,降低电流,增大电压,同时又确保VCSEL芯片的受电区域和发光区域随着注入电功率的增加而线性增加,最终使VCSEL在大电流和大脉宽工作,以满足更多领域人们对光芯片的应用需求。本设计方案的VCSEL同时具备了大功率输出和较低电流、较高电压下工作的优势。既能降低电流,增大电压;同时又使VCSEL在大电流和大脉宽工作。
技术关键词
金属接触层 大功率 布拉格反射镜 半绝缘衬底 低电流 欧姆接触层 发光单元 VCSEL芯片 外延 半导体激光器 电压 介质 电镀 负极 线性
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