一种改进的基于多物理组合动力学蒙特卡洛有限元模型三维渗流框架模拟方法

本发明属于氧化铪阻变存储器技术领域，一种改进的基于多物理组合动力学蒙特卡洛有限元模型三维渗流框架模拟方法，包括以下步骤：(1)形成新缺陷并更新参数，(2)检查团簇和导电细丝的形成，(3)计算电势和电场分布，(4)判断低阻态导电路径是否形成。模型还用于寻找非晶态和多晶态氧化铪介质中导电路径形成的统计分布，可以精确模拟氮化钛/氧化铪/铂金属‑绝缘体‑金属堆栈中的电阻开关的观察结果。利用蒙特卡洛和有限元耦合的多物理模拟解释了基于氧化铪的金属‑绝缘体‑金属堆栈堆栈中电阻开关过程中导电路径和电场分布的形成。器件级模拟表明，在多晶氧化铪基阻变存储器器件中，氧化铪晶界位点的导电路径比晶粒内形成得更快。