一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺

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一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺
申请号:CN202411132031
申请日期:2024-08-19
公开号:CN119153412A
公开日期:2024-12-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺,开槽结构开设在具有相对的正面及背面的晶圆上,所述开槽结构包括,沿划片边界:在晶圆一面开设槽A1和槽A2,槽A1和槽A2之间形成凸起块;在晶圆另一面与凸起块对应处开设槽B;其中,凸起块宽度与槽B宽度不同。本发明通过刻蚀在晶圆上形成不连通的槽,代替原本隐切形成的划片道,可以使晶圆划片节约成本,提高扩片率;同时在一侧槽中残留部分晶圆,形成凸起块,增加相邻芯片连接的稳定性,防止晶圆在扩片前发生不规则断裂,提高良品率。
技术关键词
开槽结构 开槽方法 涂覆光刻胶 划片工艺 SOI晶圆 芯片 正六边形 正面 层叠
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