摘要
本发明公开了一种便于晶圆划片的结构、方法及工艺,结构包括在晶圆正面XY平面内,沿水平晶向和垂直晶向,确定晶圆划片边界;沿晶圆水平晶向边界,开设呈线性阵列排布的第一箭头槽;沿晶圆垂直晶向边界,开设呈线性阵列排布的第二箭头槽;所述晶圆沿第一箭头槽和第二箭头槽进行隐切划片。本发明结合水平晶向和垂直晶向材料特性差异,在晶圆正面或背面开设箭头槽和划片槽,通过上述结构、方法和工艺,晶圆在隐切过程中,上下面隐切受力均可受到箭头槽和划片槽引导,可以使隐切过程中的的受力更加均匀,进一步提高晶圆隐切质量和成功率,有利于获得高质量的芯片单体。
技术关键词
箭头
划片结构
划片方法
光刻胶
划片工艺
线性
阵列
SOI晶圆
正面
受力
层叠
单体
芯片