一种反极性850nm红外发光LED芯片及其制作方法

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性850nm红外发光LED芯片及其制作方法。所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、镜面层、介质膜层、银纳米线电流扩展层、保护层、DBR反射层、功能层和环状接触电极，介质膜层上设置有导电通孔，导电通孔位于出光孔正下方；镜面层靠近介质膜层一侧的表面具有一凸台，凸台形状与导电通孔形状相套合，凸台完全嵌入至导电通孔中；凸台上表面采用平面结构，凸台上表面与介质膜层上表面齐平，且凸台上表面与银纳米线电流扩展层下表面直接接触。本申请所提供的反极性850nm红外发光LED芯片，在发光强度的提升同时具有良好的电流扩展和可靠性能。