一种基于压电MEMS芯片的超声波传感器及制备方法

本发明涉及涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种基于压电MEMS芯片的超声波传感器及其制备方法，包括衬底，衬底正面形成压电层，衬底贯穿开设背腔，在压电层表面形成结构层，结构层的厚度大于压电层中压电薄膜的厚度，使中性面位于结构层横向投影面积范围内；结构层内部开设槽形成用于确定声波视场的号筒。制备方法，包括以下步骤：在衬底的正面生长压电层；刻蚀压电层；生长结构层；刻蚀结构层，并形成号筒；贯穿刻蚀衬底形成背腔。本发明采用氧化硅作为结构层，有效降低谐振频率，在此基础上，使结构层形成可限定声波视场的号筒，提高设备一致性，在刻蚀结构层的同时形成号筒，提升自身的声压级，无需增加工艺步骤，提升良品率。