一种基于压电MEMS芯片的超声换能器及其制备方法

本发明涉及半导体工艺技术超声换能器制造技术领域，尤其涉及一种基于压电MEMS芯片的超声换能器及其制备方法，包括衬底，在衬底的正面形成压电层，衬底开设贯穿背腔，在压电层的表面形成结构层，结构层的厚度大于压电层中压电薄膜的厚度，使中性面位于所述结构层横向投影面积范围内；贯穿结构层和压电层的振膜区域形成缝隙，若干振动结构通过因缝隙形成的中心结构连接。制备方法包括：生长压电层，刻蚀压电层，形成缝隙，生长结构层，刻蚀结构层；贯穿刻蚀衬底。本发明采用氧化硅作为结构层，工艺应力低，可以有效降低谐振频率；贯穿刻蚀缝隙，提升芯片的灵敏度，减小应力作用，中心部位因刻蚀留有连接部，避免漏音，也避免产生多个谐振频率。