一种基于MEMS芯片的压电超声换能器

本发明公开了一种基于MEMS芯片的压电超声换能器及制备方法，换能器包括衬底，衬底具有相对的正面及背面，在衬底的正面形成压电层，在衬底背面开设有贯穿至压电层的背腔，在压电层的表面形成有结构层，背腔纵向投影面积范围内的压电层和结构层为振膜，结构层的厚度大于压电层中压电薄膜的厚度，使中性面位于结构层横向投影面积范围内。本发明压电超声换能器及其制备方法，采用氧化硅/氮化硅作为结构层，中性面提升到结构层，代替传统的顶硅，氧化硅/氮化硅的杨氏模量低，工艺应力低，可以有效降低谐振频率，有利用低频器件的设计和制造。