一种基于MEMS芯片的压电PMUT及其制备方法

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种基于MEMS芯片的压电PMUT及其制备方法，包括衬底，所述衬底具有相对的正面及背面，所述衬底正面形成压电层，所述衬底贯穿开设背腔，在所述压电层表面形成结构层，所述结构层的厚度大于压电层中压电薄膜的厚度，使中性面位于所述结构层横向投影面积范围内；制备方法包括：准备衬底；在衬底的正面生长压电层；刻蚀压电层，使压电层图形化；在图形化后的压电层表面生长结构层；刻蚀结构层，使结构层图形化；贯穿刻蚀衬底，形成背腔。本发明采用氧化硅作为结构层，代替传统的顶硅，氧化硅的杨氏模量低，工艺应力低，可以有效降低谐振频率，利于低频器件的制造。