一种薄膜铌酸锂波导起偏器
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推荐专利
一种薄膜铌酸锂波导起偏器
申请号:
CN202411369468
申请日期:
2024-09-29
公开号:
CN119087582A
公开日期:
2024-12-06
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种薄膜铌酸锂波导起偏器。整体结构采用两个混合弯曲波导,降低了直波导和弯曲波导衔接处两者模场失配所导致的插损,以及减少了高阶模激发,并且通过两个中心对称、弯曲角度相同的混合弯曲波导错开输入输出波导的位置,增加了芯片的偏振消光比,滤除了准TE00模式以外的波导模式,实现了高偏振消光比的起偏。
技术关键词
波导模式转换器
弯曲
光纤
SiO2衬底
薄膜
偏振消光比
铌酸锂层
中心对称
刻蚀深度
单偏振
衬底层
空气层
探测器
线性
波长
光源
芯片
沪ICP备2023015588号