一种LED芯片及其制作方法

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一种LED芯片及其制作方法
申请号:CN202411369990
申请日期:2024-09-29
公开号:CN119092614B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
一种LED芯片及其制作方法,LED芯片的第二型半导体层包括正对第二电极的第一区域和剩余的第二区域;电流阻挡保护层组包括阻挡层和保护层;阻挡层位于第一区域;保护层至少覆盖第二区域,并导通透明导电层和第二型半导体层;透明导电层仅层叠于第二区域的保护层上,第二电极通过透明导电层和/或保护层与第二型半导体层导通。电流阻挡保护层组,将第二型半导体层全部覆盖,避免制作透明导电层时等离子体轰击到第二型半导体层产生缺陷。电流阻挡保护层组通过分区域设置阻挡层和保护层使得电流阻挡保护层组既能保护第二型半导体层,又能阻挡电流。
技术关键词
LED芯片 阻挡保护层 半导体层 原子层沉积 电极 制作阻挡层 十二烷基硫酸钠 感应耦合等离子体 透明导电层 涂层 阻隔材料 生长外延结构 SiO2微球 电流 衬底 层叠
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