一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺

本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺，包括以下步骤：形成第一面支撑载板并在其上铺设双面胶膜，为后续芯片固定提供支撑；在芯片区域与介质区域之间形成空腔，并在需要的位置形成电镀区域，以防止空气桥结构塌陷；通过倒装贴片将芯片固定在支撑载板上；使用压膜技术固定芯片，确保芯片在后续工艺中的稳定性；通过在芯片区域与介质区域之间形成空腔，防止空气桥结构塌陷，提高结构稳定性，防止晶体管本征性能恶化：通过在有源区表面不附着介质，防止晶体管本征性能恶化，确保器件性能稳定，提高电热性能：通过玻璃穿孔技术实现封装上下的电气连接，提高电热性能。