一种角度传感器芯片

本发明属于电子芯片领域，公开了一种角度传感器芯片，芯片的主要结构依次包括硅层、氧化硅层、层厚500nm‑2um，磁敏感薄膜层、厚度为20‑200nm，氮化硅层、厚度为0.5‑2um，铝层、厚度1‑2um，所述磁敏感薄膜层的结构为：通过两组角度相差40‑50°的惠斯通电桥排布构成，每组惠斯通电桥包括四个单电桥，每组电桥的线条之间通过NiFe连接，通过优化结构设计提升角度传感芯片的灵敏度、可靠性，降低芯片使用面积，从而降低生产成本。